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股票在线配资开户栅极和屏蔽栅极被二氧化硅层间介质包围并分隔开

金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备”的专利，公开号CN120224743A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本公开提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备，MOSFET包括：从下到上的金属化漏极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、二氧化硅层间介质和金属化源极；金属化源极分别与N型碳化硅外延层和二氧化硅层间介质的顶部连接；N型碳化硅外延层包括位于N型碳化硅外延层的顶部中间并通过刻蚀形成的栅极沟槽；栅极沟槽内垂直设置屏蔽栅极和位于屏蔽栅极的上方的栅极，栅极和屏蔽栅极被二氧化硅层间介质包围并分隔开，屏蔽栅极的顶部接源电位。

天眼查资料显示，上海贝岭股份有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本70892.3303万人民币。通过天眼查大数据分析，上海贝岭股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息641条，此外企业还拥有行政许可76个。

本文源自：金融界

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